1.采用TrenchFET MOSFET技術的高壓開關，

2.極低的導通電阻，能量損耗小

3.極高的EMC耐受性，

4.即使在較高的開關頻率下也具有較低的控制功率。

5.型號包含有關電壓，電流和開啟行為的編碼信息。第一個數(shù)字代表以kV為單位的電壓，短劃線前的最后一個數(shù)字表示開啟行為，（0 =固定導通時間，1 =可變導通時間）。短劃線后面的數(shù)字表示以安培x10為單位的電流。特殊功能在第二個破折號后由字母編碼。示例HTS 40-06-B：HTS = HV晶體管開關，4 =4 kV，0=固定導通時間，06=60安培，B=溝槽FET

6.HFB

高頻突發(fā)：通過外部緩沖電容提高驅動器的突發(fā)能力。如果產生超過10個間距小于10μs的脈沖，建議使用。

HFS

高頻開關：外部提供輔助驅動電壓（根據(jù)型號為50-350 VDC）。必須超過規(guī)定的“最大工作頻率”。 

低通：控制輸入端的低通濾波器。傳播延遲時間將增加~50 ns。抖動+ 500 ps。在高速應用中提高了抗噪性和不太關鍵的布線。

DT

延遲觸發(fā)：“總開啟時間”不可逆轉地增加到>1μs。 

軟啟動：開啟上升時間增加約20％。如果不需要盡可能短的邊緣陡度，則簡化的EMC設計和不太重要的布線。 （3）

S-OFF

軟關斷：關閉上升時間增加約20％。如果不需要盡可能短的邊緣陡度，則簡化的EMC設計和不太重要的布線。 （3）

S-TT

軟轉換時間：開啟上升時間和關閉上升時間增加約20％。如果不需要盡可能短的邊緣陡度，則簡化的EMC設計和不太重要的布線。 

TT-C

定制過渡時間：定制上升和下降時間，以滿足個性化設計要求。

TT-P

可編程轉換時間：通過外部編程電阻在一定限制內調節(jié)開關速度。

OT-1μ

導通時間延長：導通時間增加至1μs。關斷上升時間> 500 ns。

OT-10μ

導通時間延長：導通時間增加至10μs。關斷上升時間>5μs。

OT-100μ

導通時間延長：導通時間增加至100μs。關斷上升時間>50μs

OT-C

定制準時：根據(jù)客戶的規(guī)格準時。 100 ns和100μs之間的任何值。

OT-P

可編程導通時間：通過外部編程電阻在一定限制內導通時間可調

MIN-PS

最小脈沖間距：單獨增加恢復時間，以確保獨立于控制脈沖間隔的最小HV脈沖間隔。用于安全相關電路。